硅片是一種重要的半導(dǎo)體材料,被廣泛應(yīng)用于電路制造、太陽能電池板等領(lǐng)域。加熱是硅片制備過程中的重要步驟,它可以去除有機物和氣泡,激活材料,調(diào)整形狀,增強材料結(jié)構(gòu)等,保證硅片的表面純度和質(zhì)量,使其可以在各種應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮出更好的效果。
硅片到晶圓的制備過程中,加熱是至關(guān)重要的步驟之一,其涉及的工藝步驟較多,一般包括以下幾個方面:
生長晶體:在生長晶體的過程中,需要將硅材料熔化并加熱至一定溫度,通過控制溫度和時間,使得硅材料結(jié)晶并逐漸生長成晶體。
切割硅片:在生長出的晶體中,需要通過切割的方式將其分割成薄片,切割過程中需要對硅片進行加熱,以保證切割質(zhì)量和硅片的完整性。
半導(dǎo)體加工:硅片切割成晶圓后,需要進行半導(dǎo)體加工,包括清洗、沉積、光刻、蝕刻、離子注入等多個工藝步驟,其中不同的工藝步驟需要不同的加熱溫度和時間,以完成各自的作用。
退火:在半導(dǎo)體加工過程中,為了消除晶格缺陷和改善晶體質(zhì)量,需要進行退火處理,即將晶圓加熱至一定溫度并保持一定時間,使得晶體中的缺陷得以消除。
如果硅片加熱不均勻,可能會導(dǎo)致一系列問題:
晶格變形:硅片加熱不均勻會導(dǎo)致不同區(qū)域的晶格受到不同的應(yīng)力,這可能會導(dǎo)致晶格發(fā)生變形或失序。晶格變形會影響硅片的晶體結(jié)構(gòu),可能會使其電學(xué)特性發(fā)生變化,最終可能會導(dǎo)致硅片失效。
結(jié)構(gòu)變化:硅片在不同的溫度下膨脹和收縮,如果硅片加熱不均勻,就會導(dǎo)致硅片表面的厚度和形狀不均勻,不符合設(shè)計要求。此外,熱應(yīng)力可能會導(dǎo)致硅片表面出現(xiàn)裂紋或毛刺等缺陷。
產(chǎn)品質(zhì)量下降:如果硅片加熱不均勻,就會導(dǎo)致制造出的硅片具有不規(guī)則的形狀、大小和厚度,這將降低硅片的產(chǎn)品質(zhì)量。在生產(chǎn)過程中,加熱不均勻的硅片需要被棄用,這將導(dǎo)致成本的增加。
故障率增加:熱不均勻會導(dǎo)致硅片在某些區(qū)域受到高溫?zé)崃浚铀倭斯杵性睦匣褪В踔脸霈F(xiàn)硅片整體性能下降到某種程度無法繼續(xù)使用的情況。
如何解決半導(dǎo)體硅片(晶圓)加熱不均問題?
LONGPRO紅外線輻射加熱器
紅外線輻射加熱器經(jīng)過朗普紅外線加熱數(shù)據(jù)庫以及光學(xué)運算,優(yōu)化了熱源燈絲內(nèi)部發(fā)光體結(jié)構(gòu)、反光板結(jié)構(gòu)以及陣列布燈,使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量,有效降低了溫度不均帶來的不良工藝質(zhì)量問題。因此,在電池制造業(yè),半導(dǎo)體制造、電子元器件制造、陶瓷加工等行業(yè)中,紅外線輻射加熱器被廣泛應(yīng)用。
1、通過優(yōu)化燈絲熱能分布結(jié)構(gòu),做到類矩形加熱(常規(guī)為雙尖形),減少中間聚熱,兩頭冷的不均勻熱場現(xiàn)象;
2、并通過朗普數(shù)據(jù)庫+光學(xué)運算,得出陣列布燈距高比;
3、通過背面拋光底板,進一步修正輻照場的均勻度;
4、通過電控系統(tǒng)和非接觸式測溫探頭,進行閉環(huán)控制,進一步減少溫度過沖或者加熱不足導(dǎo)致的工藝問題。